Microscópio eletrônico de varredura de emissão de campo (FE-SEM) com colunas de feixe de íons focados (FIB)
O microscópio eletrônico de varredura por feixe de íons focado CIQTEK DB550 (FIB-SEM) possui uma coluna de feixe de íons focado para nanoanálise e preparação de amostras. Ele utiliza tecnologia de óptica eletrônica de “supertúnel”, baixa aberração e design objetivo não magnético, e possui o recurso de “baixa tensão, alta resolução” para garantir suas capacidades analíticas em nanoescala.
As colunas de íons facilitam uma fonte de íons metálicos líquidos Ga+ com feixes de íons altamente estáveis e de alta qualidade para garantir capacidades de nanofabricação. O DB550 é uma estação de trabalho completa de nanoanálise e fabricação com um nanomanipulador integrado, sistema de injeção de gás e software GUI fácil de usar.
Resolução: 3 nm@30 kV
Corrente da sonda: 1 pA a 65 nA
Faixa de tensão de aceleração: 0,5 kV a 30 kV
Intervalo de troca da fonte de íons: ≥1000 horas
Estabilidade: 72 horas de operação ininterrupta
Câmara montada internamente
Três eixos totalmente acionados piezoeletricamente
Precisão do motor de passo ≤10 nm
Velocidade máxima de deslocamento 2 mm/s
Sistema de controle integrado
Projeto GIS único
Várias fontes de precursores de gás disponíveis
Distância de inserção da agulha ≥35 mm
Repetibilidade de movimento ≤10 μm
Repetibilidade do controle de temperatura de aquecimento ≤0,1°C
Faixa de aquecimento: temperatura ambiente até 90°C (194°F)
Sistema de controle integrado
Semicondutor
Na indústria de semicondutores, os chips IC podem encontrar várias falhas. Vários métodos são usados para analisar os chips para melhorar a confiabilidade. Em particular, a análise de feixe de íons focado (FIB) é uma técnica analítica confiável.
Caracterização de amostra / Fabricação de micro-nano / Análise de seção transversal / Preparação de amostra TEM / Análise de falha
Nova Indústria Energética
Observação e análise de seções transversais de materiais para pesquisa e desenvolvimento de processos.
Observação de morfologia/Análise de tamanho de partícula/Análise de seção transversal / Análise de composição e fase/Análise de falha de material de bateria de íon de lítio/Amostra TEM Preparação
Material cerâmico
Análise de materiais: O sistema FIB-SEM pode realizar usinagem micro-nano de alta precisão e geração de imagens de materiais cerâmicos, combinados com vários modos de detecção de sinal, como elétrons retroespalhados (BSE), espectroscopia de raios X com energia dispersiva (EDX) , padrão de difração retroespalhado de elétrons (EBSD) e espectrometria de massa de íons secundários (SIMS), para estudar o material em escala micro a nano com espaço tridimensional em profundidade.
Material de liga
Para aumentar a resistência, dureza, tenacidade, etc., dos metais, outras substâncias, como cerâmica, metais, fibras, etc., são adicionadas ao metal usando métodos como metalurgia, fundição, extrusão, etc., que são chamadas de fases reforçadas.
A amostra TEM preparada por um FIB-SEM é usada para observar informações como fases reforçadas e átomos de limite através de sinais de elétrons transmitidos. As amostras TEM podem ser usadas para análise de transmissão de difração de Kikuchi (TKD), análise metalográfica, análise de composição e testes in-situ de seção transversal de liga.
Plataforma de interface de usuário altamente integrada
As funções de processamento e imagem do microscópio SEM são integradas em uma interface de usuário geral, com referências comparativas exibidas à esquerda e à direita.
Hardware de acessórios autodesenvolvidos e interfaces de usuário, como sistema de injeção de gás e nanomanipulador, design intuitivo de layout para operação fácil de usar.
Reduz efetivamente a contaminação da câmara Design de trilho guia linear, abertura e fechamento tipo gaveta.
Espectrometria Dispersiva de Energia
Catoluminescência
EBSD
Microscópio eletrônico de varredura por feixe de íons focado CIQTEK FIB-SEM |
Demonstração Prática CIQTEK FIB-SEM - Preparação de Amostras TEM |
Especificações CIQTEK FIB-SEM DB550 | ||
Óptica Eletrônica | Tipo de arma eletrônica | Pistola de elétrons de emissão de campo Schottky de alto brilho |
Resolução | 0,9 nm@15 kV; 1,6 nm @ 1 kV | |
Tensão de aceleração | 0,02 kV a 30 kV | |
Sistema de feixe de íons | Tipo de fonte de íons | Gálio |
Resolução | 3 nm@30 kV | |
Tensão de aceleração | 0,5 kV a 30 kV | |
Câmara de Amostras | Sistema de vácuo | Controle totalmente automático, sistema de vácuo sem óleo |
Câmeras |
Três câmeras (Navegação óptica x1 + monitor de câmara x2) |
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Tipo de estágio | Estágio de amostra eucêntrico mecânico motorizado de 5 eixos | |
Faixa de Estágio |
X=110mm, Y=110mm, Z=65mm T: -10°~+70°, R:360° |
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Detectores e extensões SEM | Padrão |
Detector de elétrons na lente Detector Everhart-Thornley (ETD) |
Opcional |
Detector retrátil de elétrons retroespalhados (BSED) Detector de Microscopia Eletrônica de Transmissão de Varredura Retrátil (STEM) Espectrômetro Dispersivo de Energia (EDS/EDX) Padrão de difração de retroespalhamento de elétrons (EBSD) Nanomanipulador Sistema de injeção de gás Limpador de Plasma Bloqueio de carregamento de troca de amostra Painel de controle do trackball e botão |
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Interface do usuário | Idiomas | Inglês |
Sistema operacional | Janelas | |
Navegação | Navegação óptica, navegação rápida por gestos | |
Funções Automáticas | Brilho e contraste automáticos, foco automático, estigma automático |